رشد عمودی نانو لوله های کربنی باهدف ساخت ترانزیستورهای گسیل میدانی

پایان نامه
چکیده

در فصل اول به بررسی مطالب مربوط به شناخت نانولوله های کربنی و مفاهیم اولیه نانو لوله ها پرداخته شده است. در این بخش با انواع نانولوله ها و بردارهای پایه و باندهای الکتریکی نانولوله های کربنی آشنا شده و در ادامه انواع روش های ساخت از جمله روش به کار گرفته شده در این پایان نامه آورده شده در انتها خواص مختلف نانولوله ها و همچنین کاربرد آنها به عنوان انگیزه اصلی پایان نامه بیان شده است. در فصل دوم مکانیزم های گسیل الکترونی بیان شده و مشخصا راجع به گسیل میدانی بحث شده است. این فصل بیشتر به بررسی فعالیت های انجام گرفته شده در زمینه گسیل میدانی نانو لوله های کربنی می پردازد و در بعضی موارد نتایج حاصل از شبیه سازی های پایان نامه نیز آورده شده اند. در طول این فصل مدل فولر نوردهایم آورده شده. فصل سوم به توضیح اجمالی در مورد روش رشد پلاسمای افزایشی و شرح قسمت های مختلف دستگاه پرداخته و در ادامه مراحل رشد نانولوله ها تشریح شده است. در انتها عوامل موثر در رشد نانولوله ها مورد بررسی قرار گرفته اند. فصل چهارم به شرح آزمایشهای انجام شده در این پایان نامه و اندازه گیری و بررسی عوامل موثر در گسیل میدانی از نانولوله های کربنی اختصاص داده شده است. فصل پنجم به امکان سازی ساخت ترانزیستورهای گسیل میدانی و روش های مختلف ساخت آن از جمله روش استفاده شده در دانشگاه تهران پرداخته و در ادامه نتایج حاصل از شبیه سازی ساختار حاوی گیت (ترانزیستور گسیل میدانی) آورده شده اند. فصل ششم به جمع بندی و پیشنهاد برای کارهای آینده می پردازد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی گسیل میدانی نانو لوله های طبقه ای CNT-TiO2 تحت تابش نور

امروزه چشمه های الکترونی بر پایه ی گسیل میدانی ، نقش قابل توجهی در بخش های مختلف زندگی ما ایفا می کنند. از جمله مهمترین کاربرد های گسیل میدانی می توان به میکروسکوپ های الکترونی، نمایشگر های گسیل میدانی و سلول های خورشیدی اشاره کرد. نانولوله ها به عنوان گسیلنده ی الکترونی، در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این میان، نانولوله های کربنی به علت دارا بودن بدنه ی رسانا، به عنوان یکی ...

متن کامل

ترابرد الکترونی نانو لوله های کربنی درترانزیستورهای اثر میدانی

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...

15 صفحه اول

ساخت ترانزیستورهای ارگانیک با عایق فروالکتریک، اتصالات فلزی و نانو لوله های کربنی

اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از...

15 صفحه اول

ساخت و شناسایی نانو لوله های وانادیوم اکسید

این مقاله به علت انتشار نتایج پژوهش توسط نویسنده اول در نشریه زیر حذف شد:                                            (Indian Journal of Science and Technology, Vol.8, Supplementary Issue 9 (2015                                                http://www.indjst.org/index.php/indjst/article/view/68569

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی امیرکبیر(پلی تکنیک تهران) - دانشکده مهندسی برق

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023